4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品 。

晶圆制造流程

1、脱氧提纯

沙子/石英经过脱氧提纯以后的得到含硅量25％的Si02二氧化硅。氧化硅经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并蒸馏后，得到纯度高达99%以上的晶体硅。晶体硅的纯度要求非常高，这也是造出晶圆昂贵的原因。大家知道钻石是个什么玩意儿吗？钻石就是碳元素经过脱氧以及其他因素形成的元素排列独特且纯度高达99.64％以上的晶体。大家想想，晶圆比人造钻石便宜多了，感觉还是很划算的。

2、制造晶棒

晶体硅经过高温成型，采用旋转拉伸的方法做成圆形的晶棒。

3、晶片分片

将晶棒横向切成厚度基本一致的晶圆片，Wafer。

4、Wafer抛光

进行晶圆外观的打磨抛光。

5、Wafer镀膜

通过高温，或者其他方式，使晶圆上产生一层Si02二氧化硅。Si02二氧化硅为绝缘材料，但有杂质和特殊处理的Si02二氧化硅有一定的导电性。这里Si02二氧化硅的作用是为了光的传导。就像用Si02二氧化硅做光导纤维一个道理。这是为了后面光刻。

6、上光刻胶

光刻胶和以前照相的胶片一个道理。Wafer上光刻胶，要求薄而平整。

7、光刻（极紫光刻EVO）

将设计好的晶圆电路掩模，放置于光刻的紫外线下，下面再放置Wafer。在光刻的瞬间，在Wafer被光刻的部分的光刻胶融化，被刻上了电路图。去除光刻胶，光刻胶上的图案要与掩模上的图案一致。再次光刻。一个晶圆的电路要经过多次光刻。随着极紫光刻新技术出现，晶圆的光刻变得更精确，也更有效率了，甚至可以一次完成全部光刻了。

8、离子注射。

在真空的环境下经过离子注射，将光刻的晶圆电路里注入导电材料。一般在一次光刻后就离子注射。二次光刻后，再离子注射。但一次全部光刻，就可以直接进行离子注射了。

9、电镀

基本上晶圆完成了，接下来要在晶圆上电镀一层硫酸铜。铜离子会从正极走向负极。

10、抛光

打磨抛光Wafer表面，整个Wafer就已经制造成功了。

11、晶圆切片

将Wafer切成，单个晶圆Die。

12、测试

主要分三类：功能测试、性能测试、抗老化测试。具体有如：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、动态参数测试、 模拟信号参数测试等等。有坏的晶圆就报废，此为黑片；有一些测试没过，但不影响使用的分为白片，可以流出；而全部通过测试的为正片。

13、包装入盒

先给Wafer覆膜，再将其插入黑盒子中。

14、发往封测

Die（裸片）经过封测，就成了我们电子数码产品上的芯片。返回搜狐，查看更多